三星电子将在2nm代工工艺中采用GAA技术

三星电子目前正在开发下一代“环栅”(GAA) 技术，旨在应用于计划明年量产的 2 纳米 (nm) 代工工艺。

据业内消息人士 4 月 29 日透露，三星电子将在 2024 年夏威夷举行的著名全球半导体会议“VLSI Symposium 2024”上发表有关应用于 2 纳米(SF2)工艺的第三代 GAA 特性的论文。美国 6 月 16 日至 20 日。

超大规模集成(VLSI)研讨会与国际固态电路会议(ISSCC)和国际电子器件会议(IEDM)一起被认为是全球三大半导体会议之一，在这里展示最新的半导体技术进行了讨论。

三星电子全球首创商业化的 GAA 技术是下一代晶体管技术，可调节、放大或关闭半导体内的电流。随着半导体变得越来越小，控制电流变得更具挑战性，但 GAA 重新设计了晶体管架构以提高功率效率。

目前，三星电子是全球唯一量产该技术的公司。三星早在2000年代初就开始研究GAA技术，并于2022年率先应用于3纳米代工量产。

然而，由于经济低迷、生产成本高以及移动等行业客户有限，对3纳米工艺的需求并不大。在这种情况下，3纳米工艺的领导地位已转移到与苹果合作的台湾台积电。

对此，三星电子计划在今年内开始量产第二代3纳米工艺，并正在推进针对2纳米工艺推出第三代GAA，以确保在GAA技术方面的领先地位。台积电和英特尔也计划在下一代2纳米工艺中采用GAA技术，标志着行业竞争的一大步。

三星开发了名为“MBCFET”的专有 GAA 技术，随着技术的发展，性能和效率不断提高。基于第一代3纳米GAA工艺，与之前的5纳米工艺相比，性能提升了23%，面积减少了16%，功耗降低了45%。即将推出的第二代3纳米工艺预计将实现性能提升30%、面积缩小35%、功耗降低50%。第三代 MBCFET 预计还将实现显着的性能改进，功耗降低 50% 以上，并且由于面积减小而集成度更高。

三星电子还致力于利用其第三代 GAA 技术来加强 2 纳米代工生态系统。三星目前与 50 多家知识产权合作伙伴合作，拥有 4,000 多个知识产权。今年早些时候，三星发起与全球 IP 公司 Arm 的合作，以增强 GAA 流程的可及性，旨在减少开发下一代产品的时间和成本，并确保需要高性能、低功耗移动半导体的客户和高性能计算(HPC)。

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