密度需求将内存解决方案推向新高度

从嵌入式系统到高性能存储，最新的内存进步不断涌现，以最大限度地提高密度和速度。

包括三星、铠侠和美光在内的多家内存行业领导者最近发布了存储技术的新进展。在生成式人工智能时代，数据存储与快速处理同样重要。因此，公司重新关注内存密度和性能。

虽然每个供应商最近的存储进步都以自己的方式独特，但它们也有一些共同点，这些共同点表明了我们行业的主要趋势，例如垂直 NAND 和其他注重密度的技术。

三星推出第 9 代 V-NAND

三星最近宣布批量生产其第 9 代垂直 NAND (V-NAND) 解决方案，以此拉开本次综述的序幕。随着开发人员达到在缩小封装尺寸的情况下封装更高位密度的基本极限，垂直存储解决方案变得越来越受欢迎。

三星全新第 9 代 V-NAND 采用三级单元架构，提供高达 1 TB 的总存储容量。在此架构中，三位信息可以存储在单个单元中，与单级和多层单元架构相比，提高了存储密度，但速度略有下降。

铠侠着眼于高密度嵌入式存储

转向嵌入式应用，Kioxia 最近宣布已开始提供最新的通用闪存存储(UFS) 4.0 嵌入式闪存设备样品。UFS 4.0 设备的容量从 256 GB 到 1 TB，为嵌入式和移动设计人员提供了许多优势。

与传统 UFS 3.1 设备相比，UFS 4.0将读/写速度提高了 50%，并减小了整体尺寸，使设计人员能够将存储集成到更小的设备中。此外，这些器件的理论传输速度为 46.4 Gbps，在数据速度至关重要时可提供卓越的性能。

铠侠设备采用 TLC 架构及其BiCS闪存技术，可减小尺寸并提高密度。256 和 512 GB 芯片的采样将于本月开始，1 TB 芯片的采样将于 2024 年 6 月开始。

美光堆栈高层 NAND 存储

最后，美光还宣布量产其 232层QLC NAND器件。正如我们所见，存储器的 3D 集成可实现更高的位密度。美光推出高层数是高密度、高性能存储器向前迈出的一大步。

与之前的设备相比，美光 2500 SSD(基于 232 层芯片)的数据速度提高了 50%，读取性能提高了 24%，尺寸减小了 28%，从而提高了终端设备的集成度。这些指标与四级单元(QLC) 架构相结合，为消费类 SSD 市场提供了性能和存储密度之间的良好平衡。

美光将价值 SSD 作为其技术的主要应用，以美光 2500 NVMe 为代表，美光目前正在向 OEM PC 制造商提供样品。2500 SSD 的容量高达 2 TB。

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