NAND Flash回温速度优于预期 预估本季产品平均单价涨幅为5~10%

　　三星、SK海力士及美光三大原厂扩大减产，NAND Flash及DRAM现货价近期呈价格反弹迹象，其中，NAND Flash回温速度优于预期，第四季价差持续收敛，预估本季产品平均单价涨幅为5~10%，有机会出现货价与合约价黄金交叉。

　　记忆体族群受惠产业市况反转，今年以来股价走势强劲，十铨股价今年以来涨幅翻倍，威刚股价涨幅逾八成，群联股价亦有逾五成的涨幅。

　　业界人士分析，由于三大原厂的库存离正常化仍有一段距离，拥有最大市占率的龙头厂三星，决定进一步削减产能利用率至50%，欲使库存尽早正常化，现阶段加大减产，预期效果将于2024年上半年反映。

　　记忆体市场约有90%为合约价市场，而现货价为可视为涨跌趋势的先行指标，以NAND Flash Wafer而言，1Tb TLC现货价自低点反弹27%，主流的512Mb TLC现货价也有25.7%增幅，而256Mb TLC现货价回升16%。

　　由市场供需来看，供不应求将加速消耗先前库存，涨价趋势将持续到2024年，业界人士预估，NAND Flash第四季价差持续收敛，并有机会出现货价与合约价黄金交叉，预估第四季产品平均单价涨幅为5~10%。

　　就DRAM来看，DDR5、DDR4、DDR3现货价齐涨，第四季合约价也看涨，三星已由第一季的减产20%，第三季减产25%，到近期宣布第四季将减产拉高至30%，策略明显奏效。

　　且得益于报价拉抬，自7月以来的现货价各品项，小幅反弹5~8%，DRAM现货价已于9月初落底，并呈现反弹趋势，其中，以最先反弹的DDR3，涨幅最大。

　　大厂的DDR3产能较少，率先缩减后，并将产能转往更高阶产品，因此，DDR3开始市场供不应求，也显见下游端库存已逐步去化，产生需求。

　　而目前市场主流的库存DDR4 8G，由微幅下滑，转为开始上扬，DRAM谷底周期接近尾声，并且近期已有原厂宣布调升合约价，第四季整体DRAM产品平均单价，将有0~5%涨幅。

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