美光加紧追逐三星、SK海力士进军HBM市场

美光科技与英特尔等其他领先的人工智能半导体公司一起，加大了挑战行业领先者的力度。据半导体行业消息人士12月24日透露，全球第三大DRAM制造商美光目前正在接受主要客户对其开发的HBM3E的质量评估。

高带宽存储器(HBM)是一种用于AI服务器的DRAM，其特点是堆叠多种类型的DRAM以提高数据处理能力和速度。目前由三星电子和SK海力士主导的全球HBM市场预计将从今年的约2.5万亿韩元增长到2028年的约8万亿韩元。

美光预计2023年的市场份额约为5%，位居第三。该公司在其下一代产品HBM3E上下了很大的赌注，以缩小与领先者的差距。美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“我们正处于为英伟达下一代人工智能加速器供应HBM3E的最后验证阶段。”

包括HBM和GPU封装在一起的人工智能加速器市场也面临着激烈的竞争。人工智能加速器是专门用于大规模数据训练和推理的半导体，在生成人工智能时代被认为是必不可少的。

英特尔正在这一领域作出重大努力。12月14日，英特尔推出了高迪3下一代人工智能加速器的原型，其速度是前代的四倍，HBM增加了1.5倍。英特尔首席执行官Pat Gelsinger公开批评人工智能加速器领域的领导者英伟达，他表示，“随着数据推理(服务)的重要性不断提高，英伟达专注于数据训练的时代也将结束。”

各AI半导体板块的第三名逆袭是由市场的增长潜力推动的。AMD表示，人工智能加速器市场目前价值300亿美元，预计到2027年将扩大到1500亿美元。HBM市场预计在未来五年内将以每年50%的速度增长。

客户想要控制领先公司的主导地位，这也刺激了新玩家积极进入市场。例如，微软等主要人工智能加速器市场参与者正在敦促AMD和英特尔等公司开发英伟达的替代品。在HBM市场，一位客户为美光的新产品开发提供了6亿美元的预付款。

市场领导者正专注于通过新产品扩大领先优势。在HBM市场，三星电子和SK海力士正在开发第六代HBM HBM4，预计该产品将采用“混合键合”技术，在缩小尺寸的同时提高产能。英伟达正在研发“X100”人工智能加速器，该加速器将于2025年发布，将把内存使用量提高到400 GB。

免责声明：本文内容来源于第三方或整理自互联网，本站仅提供展示，不拥有所有权，不代表本站观点立场，也不构成任何其他建议，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容,不承担相关法律责任。如发现本站文章、图片等内容有涉及版权/违法违规或其他不适合的内容， 请及时联系我们进行处理。