SK海力士积极招募英特尔专家 提升NAND闪存领导地位

SK海力士陆续从英特尔聘请了拥有数十年经验的NAND闪存专家，开始强化研发能力，以提升高性能NAND竞争力。

12月28日，据业内人士透露，SK海力士美国公司本月聘请了英特尔高级首席工程师理查德·帕斯托(Richard Pasto)。Pasto 是康奈尔大学的博士学位，是一位拥有 28 年经验的半导体专家，曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作过。并为包括 3D NAND 在内的半导体领域的数十项专利申请做出了贡献。

6月，在半导体行业拥有30年经验(其中在英特尔工作了25年)的内存设计专家Rezaul Haque加入SK海力士，担任研发团队负责人。11月，在英特尔NAND等领域工作了13年的Erika Shiple也跳槽到SK海力士担任团队负责人。

这些人现在都是新成立于硅谷中心加州圣何塞的SK海力​​士NAND Development America(SK HNA)的主要部门负责人，负责研发工作。该组织由约 30 名研究人员组成，专注于开发高性能 NAND 设计及相关技术。它是一个专门的组织，拥有最少的管理人员，专注于纯粹的研究和开发，以提高技术竞争力。

随着生成式人工智能的普及，SK海力士正在关注设备上的人工智能，将其作为新的内存需求来源。设备端人工智能将生成式人工智能嵌入设备而不是服务器中，由于其独立于服务器的性质，需要基于 NAND 的存储设备能够存储大量数据。

SK海力士计划通过抢占SK海航在美国的研发人员来发展其NAND研究中心。该公司还期待与其从英特尔收购的子公司 Solidigm 产生协同效应。随着高带宽内存销售的成功以及与三星电子的 DRAM 差距的显着缩小，SK 海力士现在正在加强对 NAND 领域领先地位的关注。

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