HBM收益率竞争加剧 三星、SK海力士等加大力度进行研发

随着主要存储器半导体公司宣布的下一代高带宽存储器(HBM)生产时间表的临近，这些公司正在加大力度提高良率。

3月12日消息，据业内人士透露，三星电子、SK海力士等主要存储半导体公司正集中精力提高超精细工艺的精度，计划在今年上半年量产下一代HBM HBM3E。

三星电子正在与国内外多家半导体设备公司合作，以降低缺陷率，并与他们一起探索工艺改进的多个方向。三星电子使用热压缩非导电薄膜 (TC-NCF) 至关重要，其中优化热量和压力是关键，据报道，正在与设备制造商进行讨论，以提高这一步的准确性。面对SK海力士的竞争，三星电子在全公司范围内集中力量，上个月出人意料地宣布了“Advanced TC-NCF”技术。该技术可以减少 TC-NCF 工艺中必要薄膜的厚度，从而在保持 HBM 高度的同时增加半导体层数。

SK海力士还投入大量精力进行研发，以保持在下一代市场的领先地位。与三星电子不同的是，SK 海力士采用了一种称为大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 的工艺，并将研究重点放在改进对该工艺至关重要的液体材料上。一位公司官员解释说：“MR-MUF工艺的良率取决于半导体之间使用的液体材料的特性。到目前为止，我们的主要重点是提高这种材料的质量。”

据了解，HBM行业龙头SK海力士的HBM良率在60%左右。与一般 DRAM 超过 90% 的良率相比，这是较低的。与其他存储器不同，HBM 需要复杂的额外工艺，即在半导体上钻孔并使用硅通孔 (TSV) 垂直堆叠多个半导体，这意味着任何阶段的缺陷都可能需要丢弃其他好的芯片以及有缺陷的芯片。每个步骤的收益率即使略有变化，也会极大地影响整体盈利能力。一位业内人士表示：“随着HBM层数的增加，即使是1-2%的差异也可能导致数千亿韩元的收入差异。”

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