SK海力士将在美国FMS 2024上推出12层HBM3E 12层和321层NAND_金融科技

SK海力士将在美国FMS 2024上推出12层HBM3E 12层和321层NAND

金融科技 2024-08-01 user15688

　　SK海力士将于8月6日至8日（当地时间）在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的存储半导体展FMS 2024上展示其下一代人工智能（AI）内存产品，包括第五代12层HBM3E产品和321层NAND产品。

　　据SK海力士8月1日报道，8月6日，即活动第一天，HBM PI副总裁Kwon Eon-oh和WW SSDD PMO副总裁Kim Cheon-seong将发表主题为“AI Era内存和存储解决方案的领导力和愿景”的主题演讲。

　　Kwon将就D-RAM发表演讲，Kim将介绍NAND领域，介绍SK海力士的D-RAM和NAND产品组合，以及针对AI解决方案优化的AI内存解决方案。

　　SK海力士展出的产品将包括计划于今年第三季度量产的12层HBM3E芯片，以及SK海力士准备于2025年上半年量产的321层NAND产品。SK海力士在2023年的FMS上展示了世界上最高的321层NAND产品。

The End

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