三星在代工低迷和HBM转型中面临关键时刻

　　据路透社报道，三星电子的高带宽内存（HBM）在4月底未能通过英伟达的测试，使该公司处于关键时刻。随着半导体DRAM市场迅速转向人工智能（AI），三星正在努力在这个不断变化的环境中站稳脚跟。

　　3月下旬，英伟达首席执行官黄仁勋在美国加利福尼亚州圣何塞会议中心举行的年度开发者大会上参观了三星电子的展台。他在 HBM3E 展台的标牌上写着“Jensen Approved”，这提高了人们的期望，但结果却有所不同。

　　报告发布后，三星电子反驳说，测试正在进行中，尚未结束。然而，该公司股价暴跌，并未恢复，市场反应依旧冷淡。

　　英伟达是人工智能半导体领域的领先者，HBM是人工智能芯片的重要组成部分。自 2013 年开发第一款 HBM 以来，SK 海力士一直在持续研发，在 ChatGPT 等生成式 AI 开发对 AI 加速器的爆炸性需求的推动下，成为下一代半导体市场的新兴力量。

　　相反，三星电子在 2019 年解散了其专门的 HBM 开发团队，但今年又恢复了它，尽管进展缓慢。根据Meritz Securities的数据，今年第一季度，SK海力士在HBM领域占有59%的市场份额，而三星电子则占有37%的市场份额。

　　三星也在代工市场上苦苦挣扎。根据市场研究公司TrendForce集邦咨询的数据，三星电子去年第四季度的晶圆代工市场份额为11.3%，与台积电（61.2%）的差距从上一季度的45.5个百分点扩大到49.9个百分点。

　　三星电子进入HBM市场的时间比SK海力士晚，今年2月宣布成功开发了第五代HBM的12层HBM3E，并计划在今年第二季度内量产。然而，与SK海力士报告HBM3E的良率（良品与成品的比例）为80%不同，三星没有透露任何关于良率的具体立场。稳定的良率是 HBM 竞争的主要变量，HBM3E 的关键硅通孔 （TSV） 的良率低至 40-60%，促使行业专注于提高良率。

　　最近，三星电子突然更换了半导体部门的领导层，以振兴气氛。然而，有一种普遍的看法是，三星能否在先进半导体市场创造重大的技术差距还有待观察，类似于其在内存半导体市场的主导地位。虽然对以技术专长著称的副会长全英铉被任命为“救济投手”持乐观态度，但人们对他在三星SDI展示的管理技能是否是三星电子目前需要的持怀疑态度。与其他通过积极订单和大规模设施投资来获得客户的二次电池公司不同，Jun副董事长更注重通过重新评估和内部强化来巩固业务，而不是扩大市场份额。

　　一位业内人士评论说：“副会长全英铉被认为更像是一个防守型经理，而不是一个积极进取的经理。由于Galaxy Note 7电池起火而面临有史以来最大的危机，三星SDI将如何影响三星电子的DS部门，该部门现在需要同时追逐和攻击快速扩张的HBM市场，还有待观察。

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